Kādas ir galvenās FLASH atmiņas

FLASH ir atmiņas mikroshēma, pilnais nosaukums Flash EEPROM atmiņa, izmantojot programmu, var mainīt datus, ko parasti sauc par "zibspuldzi". Tās uzglabāšanas īpašības, kas ir līdzvērtīgas cietajiem diskiem, ir pamats, lai zibatmiņa kļūtu par datu nesēju visu veidu pārnēsājamām digitālajām ierīcēm. Zibatmiņa apvieno ROM un RAM stiprās puses, un tai ir elektroniski dzēšama un programmējama veiktspēja, un tā nezaudē datus strāvas padeves pārtraukuma dēļ, un tai ir ātras datu nolasīšanas īpašības. Tātad, kādas ir vispārīgās klases, kas saistītas ar zibatmiņu?
SPI Nor Flash izmanto SPI sakaru protokolu. SPI Nor Flash piemīt NOR tehnoloģijas Flash Memory īpašības, tas ir, programmas un datus var glabāt vienā mikroshēmā, ar neatkarīgu datu kopni un adrešu kopni, un tos var nolasīt ātri un nejauši. Ļauj sistēmai nolasīt kodu tieši no Flash izpildei; Var veikt viena baita vai viena vārda programmēšanu, bet viena baita dzēšanu nevar veikt. Dzēšana jāveic sektorā vai visā mikroshēmā. Pirms atmiņas pārprogrammēšanas ir jāveic iepriekšēja programmēšana un dzēšana sektorā vai visā mikroshēmā.

Parallel Nor Falsh, pazīstams arī kā Parallel Nor Flash, izmanto paralēlās saskarnes komunikācijas protokolu, tam ir neatkarīga datu līnija un adrešu kopne, tā pārmanto arī visas NOR tehnoloģijas zibatmiņas funkcijas. Paralēlā interfeisa dēļ. Salīdzinot ar SPI Nor Flash, Parallel Nor Falsh atbalsta lielāku ietilpību un ātrāku lasīšanas un rakstīšanas ātrumu. Tomēr, tā kā tas aizņem pārāk daudz adrešu līniju un datu līniju, tas aizņems daudz resursu ķēdes elektroniskajā dizainā.

Parallel Nand Flash, izmantojot arī paralēlās saskarnes komunikācijas protokolu, Nand Flash procesa procesā ir sadalīts trīs veidos: SLC, MLC, TLC. Nand Flash tehnoloģija Zibatmiņai ir šādas funkcijas: Lasīšanas un programmēšanas darbības tiek veiktas uz lapām, un dzēšanas darbības tiek veiktas blokos. Tam ir ātras programmēšanas un ātras dzēšanas funkcija, un bloku dzēšanas laiks ir 2 ms, savukārt NOR tehnoloģijas bloku dzēšanas laiks sasniedz simtiem ms. Mazs mikroshēmas izmērs, dažas tapas.
Flash atmiņa ir vissvarīgākā uzglabāšanas IC, galvenokārt NOR Flash un NAND Flash divu veidu. Pusvadītāju atmiņas mikroshēmas galvenokārt tiek iedalītas nepastāvīgās atmiņas IC un gaistošas ​​atmiņas IC, visizplatītākā nepastāvīgās atmiņas IC ir zibatmiņa, un Flash var iedalīt NOR Flash un NAND Flash divās kategorijās.

NAND Flash ir sadalīts SLC, MLC, TLC un QLC saskaņā ar uzglabāšanas principu, un to var iedalīt 2D un 3D divās kategorijās no struktūras. Flash tehnoloģija galvenokārt ir sadalīta SLC, MLC, TLC un QLC četrās kategorijās, kas atbilst dažādām telpiskajām struktūrām, šos četrus tehnoloģiju veidus var iedalīt 2D struktūrā un 3D struktūrā divās kategorijās.

SLC NAND ir mazākā atmiņas ietilpība uz vienu vienību, bet arī vislabākā veiktspēja. SLC NAND ir tikai divi dažādi sprieguma stāvokļi, tāpēc tam ir visstabilākā veiktspēja un ilgākais kalpošanas laiks. Salīdzinot ar parasto NAND Flash, NOR Flash ir mazs ietilpības blīvums, lēns rakstīšanas ātrums, lēns dzēšanas ātrums un augsta cena.